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一种促进低温快速沉积Cu(In,Ga)Se2薄膜生长的单加热克努森蒸发源的改良设计 Article
张运祥, 林舒平, 程世清, 何志超, 胡朝静, 周志强, 刘玮, 孙云
《工程（英文）》 2021年 第7卷 第4期 页码 534-541 doi: 10.1016/j.eng.2020.01.016
在共蒸发工艺中，克努森蒸发源经常被用来生长高质量Cu(In,Ga)Se2（CIGS）薄膜。然而，在整个薄膜沉积过程中（尤其在低温工艺下），传统单加热克努森蒸发源不能使金属完全硒化，这可能是由蒸发源坩埚喷嘴处的冷凝和液滴喷射现象造成的。本文将通过热力学分析解释这一现象，同时提出了一种新型单加热克努森蒸发源来解决这一问题。与传统低温快速沉积工艺相比，新型单加热蒸发源提高了薄膜质量，并在230 nm·min–1的生长速率下，将器件相对效率提高了29%。
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